CAMECA는
IMS 7f Auto의 탁월한 수소 심층 프로파일링 성능을 소개하는 새로운 애플리케이션 노트를 발표했습니다. 이 장비는 첨단 SIMS 분석 프로토콜을 활용하여 실리콘 및 GaAs에서 sub ppm 수준의 수소 검출 한계를 제공하므로 반도체 재료 내 수소를 매우 민감하고 신뢰할 수 있게 분석할 수 있습니다.
이 연구는 낮은 진공 배경, 효과적인 사전 스퍼터링 프로토콜, 높은 스퍼터링 속도의 Cs⁺ 1차 이온 충격 등 최적화된 실험 조건을 강조합니다. 이러한 조건들이 결합되어 탁월한 검출 한계, 높은 재현성, 그리고 높은 처리량(약 7μm까지 분석하는 데 30분 소요)을 보장합니다.
경원소에 대한 벤치마크 수준의 감도와 다중 샘플 워크플로우를 위한 높은 자동화 기능을 갖춘 IMS 7f Auto는 마이크로일렉트로닉스 분야의 공정 제어 및 연구 개발을 위한 강력한 도구입니다.
전체 응용 노트 보기:
Analysis of Hydrogen in Semiconductor Materials - AP #SIMS-016
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