실리콘 기반 태양 전지 장치 제조는 순도가 6N 이상인 업그레이드된 금속 등급 실리콘의 광전지(PV) Si 공급원료를 기반으로 합니다. 고수율 제조를 보장하기 위해서는 Si 정제 공정의 품질 관리가 필수적입니다.
탁월한 검출 한계 CAMECA
IMS 7f-Auto는 분석할 종에 따라 ppm에서 ppb 범위에 이르는 검출 한계로 PV Si 공급원료의 미량 원소 불순물 농도를 정량적으로 측정합니다.
아래의 표는 분석 물질 15ng에 대한 실리콘의 SIMS 검출 한계를 보여줍니다. CAMECA IMS 7f-Auto의 성능은 경원소(H, C, O, N), 주요 Si 도펀트(B, P, As) 및 금속(Al, Cr, Fe, Ni, Cu 등)에 대해 특히 매력적입니다. TOF-SIMS와 달리 프로파일링 속도를 높이면 IMS 7f-Auto의 검출 한계가 향상됩니다.
종
| at/cm3
| ppb |
| H | 7E+16 | 1400 |
| B | 1E+13 | 0.2 |
| C | 2E+16 | 400 |
| O | 2E+16 | 400 |
| Na | 3E+13 | 0.6 |
| Al | 1E+13 | 0.2 |
| P | 5E+13 | 1 |
| K | 2E+12 | 0.04
|
| Ca | 7E+11 | 0.01
|
| Cr | 5E+12 | 0.1 |
Mn
| 5E+12 | 0.1 |
| Fe | 2E+14 | 4
|
| Co | 2E+13 | 0.4 |
Ni
| 6E+14
| 12
|
| Cu | 2E+14
| 4
|
As
| 2E+13 | 0.2 |
Mo
| 1E+14 | 2
|
W
| 5E+13 | 1
|
분석 챔버에서 터보분자 펌핑과 티타늄 승화의 결합으로 얻어진 최적화된 초고진공 덕분에 경원소에 대한 가장 낮은 검출 한계에 도달했습니다. 페이지 상단의 그래프는 실리콘 내 산소에 대한 탁월한 검출 한계를 보여줍니다.
높은 시료 처리량 PV Si는 IMS 7f-Auto에서 빠르고 간편하게 시료를 처리하여 원래의 물리적 형태로 분석할 수 있습니다. 일반적인 처리량에서는 시간당 4-6회의 분석을 실시합니다. 이 장비에는 최대 6개의 시료 홀더가 있는 자동 스토리지 챔버를 장착할 수 있어 더 빠른 처리량이 보장됩니다.
보다 자세한 내용을 알아보려면 다음 간행물을 요청하십시오. SIMS analytical technique for PV applications. P. Peres et al. Surface and Interface Analysis, n/a. doi: 10.1002/sia.3525. 이 논문은 PV Si 공급원료의 미량 원소 분석, CIGS 박막의 주요 조성 및 미량 원소의 심층 분포라는 두 가지 주요 용도에 대한 결과와 함께 새로운 태양 전지의 개발 및 제조를 위해 SIMS 장비가 제공하는 분석 성능을 제시합니다.