반도체 기술에서 재료는 급속하게 변하고 있으며 이로 인해 분석 문제 역시 급속하게 변화합니다. 뛰어난 깊이방향 프로파일링 기능 덕분에 CAMECA
IMS 7f-Auto는 반도체 산업에서 도펀트 모니터링에 널리 사용되고 있으며 다양한 종 및 재료 시스템에 적용됩니다. 장비의 장점: 2개의 고휘도 이온 소스(Cs+ 및 O2+), 높은 투과율, 높은 질량 분해능 등
깊은 임플란트에 대한 탁월한 검출 한계 깊은 임플란트의 경우 인상적인 감도 및 높은 다이나믹 범위로 인해 몇 마이크론 깊이까지의 깊이 프로파일을 몇 분 안에 분석할 수 있습니다. 세 가지 주요 Si 도펀트(B, P 및 As)의 경우 ppb 범위의 검출 한계에 도달할 수 있습니다. TOF-SIMS와 달리 스퍼터링 속도를 높이면 IMS 7f-Auto의 검출 한계가 향상됩니다.
좌측: 실리콘에 있는 인 - 우수한 검출 한계와 높은 시료 처리량(200초의 총 분석 시간). 얇은 임플란트의 깊이 분해능 최적화 CAMECA IMS 7f-Auto에서는 충격 에너지가 500eV까지 지속적으로 감소하여 우수한 감도를 유지하면서도 탁월한 깊이 분해능을 제공합니다. 따라서 IMS 7f-Auto는 얇은 임플란트 시료 또는 얇은 층 구조에서 도펀트 및 불순물의 심층 분포를 특성화 분석하는 데 사용할 수 있습니다.
우측: 실리콘의 얇은 붕소 임플란트 - 저에너지 깊이방향 프로파일링에 적합한 우수한 깊이 분해능.